기업현황
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(1) 영업개황 및 사업부문의 구분
또한 당사가 사업을 영위하고 있는 반도체 재료 시장의 중요한 특성을 정리해보면 다음과 같다. - 재료의 중요성 증대 반도체 산업은 기본적으로 장치산업의 성격을 가지고 있다. 그리고 2000년 이전까지는 반도체 산업의 발전이 반도체 공정 장비의 발전이라고 해도 무리가 아닐 정도로 장비 의존성이 컸으며 그 동안에는 재료의 변화는 크지 않았다. 그러나 2000년 이후에는 점차 반도체 재료의 중요성이 커지고 있으며, 특히 최신 공정에서 요구되는 MOCVD 전구체의 경우에는 전구체의 특성이 장비의 특성과 설계를 제한할 만큼 중요해 지고 있다. - 장비업체에 의한 영향 반도체 산업 구조는 칩메이커를 중심으로 바로 하부에는 장비업체가 위치해 있으며 그 밑에 재료 업체가 위치한다. 이러한 관계는 실제 반도체 재료를 반도체 생산라인에 납품하기 위해서 거치는 비즈니스 라인을 살펴보면 명확히 나타난다. 새로운 재료가 개발되면 먼저 장비 업체에서 평가를 거쳐서 성능 및 품질을 평가 받게 되고, 장비 업체가 해당 장비를 칩메이커에 납품시 해당 재료가 함께 따라가는 과정을 거쳐서 시장에 진입하게 된다. - 진입 장벽이 높은 시장 반도체를 생산하기 위한 공정은 통상적으로 100여개의 공정을 거치는 매우 복잡하고 민감한 공정이고 재료의 비중이 크지 않기 때문에 양산라인에서 재료의 변경은 극히 드문 일이다. 뿐만 아니라 칩메이커는 모두 대기업이기 때문에 재료 변경 시 관련 부서나 조직이 매우 복잡하게 관여되는 특성이 있어서 한번 결정된 것을 변경하기 위해서는 많은 절차가 필요하다. 따라서 반도체 양산시 초기 진입한 재료 업체는 매우 높은 진입 장벽을 누리고 있다고 할 수 있다. - 기술 중심적으며 빠른 변화 속도 반도체 재료 시장의 또 다른 특징은 매우 기술 중심적으로 기술의 변화 속도가 매우 빠르다는 것이다. 모든 반도체 메이커는 작게는 수백명에서 많게는 수천명의 연구원을 보유하고 있으며 업체간의 경쟁이 매우 치열하고 생산성 향상과 원가 절감을 위해서 부단히 새로운 기술을 개발하고 접목하는 일을 하기 때문에 기술 변화 속도가 매우 빠르다. 따라서 반도체 업체의 기술개발 속도에 부합하게 재료를 개발하여 지원하기 위해서는 매우 많은 연구 개발 조직이 필요하다. 신뢰할 수 있는 연구 개발 조직을 확보하지 못한 경우에는 반도체 메이커나 규모가 큰 장비업체와는 공동개발이나 협력이 매우 어렵다. 뿐만 아니라 기술의 변화속도가 매우 빠르고 정보의 보안이 매우 철저하기 때문에 기술력을 확보하지 못한 기업은 시장 진입 자체가 매우 어렵다. (4) 신규사업 등의 내용 및 전망 당사에서 기존 사업 외에 새로이 추진하고 있는 사업은 아래와 같다. 1) Gap-Fill용 재료(SOD) STI의 Gap-fill 용으로 기존에는 HDP나 HARP방식을 사용하였으나 70nm 이하급에서는 기술적인 문제로 인하여 Gap-fill이 어려워졌다. 이에 따라 기존에 주로 IMD에서만 사용되었던 SOD(Spin On Dielectric) 공정을 확대하여 적용하게 되었다. 전세계적으로 SOD를 현재 A社에서 독점 공급하고 있는고 있다. 전세계 SOD 시장 규모는 2008년에 1,000억원 이상이었으며 2009년에는 1500억이상이 될 것으로 전망되고 있다. 현재까지는 SOD 후속으로 개발된 공정이 없으므로 2012년까지는 계속 수요가 증가할 것으로 보인다. 2) High-k(고유전체)용 전구체 공정 기술 미세화에 따른 게이트 절연막의 박막화에 있어서 종래의 SiO2를 이용한 박막화는 누설 전류의 급격한 증가 문제라는 문제가 발생하게 되었고, 이에 따라 새로운 High-k(고유전체) 박막을 게이트 절연막으로 이용하고자 하는 요구가 증대되었다. 또한 메모리 반도체 D램의 캐패시터 경우에 있어서는 누설전류가 작으면 작을수록 정전 용량을 증가시키는데 유리한 고유전체 유전막의 도입이 불가피하게 되었다. 55nm 이하의 공정에서는 미세화만으로 더 이상 소자의 성능 개선은 기대할 수 없으므로 고유전체 물질의 도입이 필수적으로 요구되고 있다. 2005년 이후 고유전율 캐패시터 절연막용 재료 시장은 해마다 약 20~30% 정도 이상으로 성장하고 있으며 반도체 재료 시장의 평균 성장율이 약 20% 수준임을 감안한다면 상당한 성장 잠재력을 갖고 있다고 볼 수 있다. 3) P램 용 GST 전구체 P램은 플래시 메모리와 같은 비휘발성 저장 능력을 가지고, D램과 같이 고집적성을 갖고 고속 동작이 가능하며, 낮은 소비 전력을 구현하므로 차세대 메모리에 해당한다. GST 전구체는 이러한 P램에 쓰이는 기억 소자 물질인 Ge2Sb2Te5라는 상변화 물질의 재료가 된다. 향후 NOR 플래쉬 메모리가 P램으로 대체된다면, 수십억 달러의 시장을 형성할 것으로 전망된다. 4) 확산 방지막용의 전구체 알루미늄 및 구리 등의 배선재료의 SiO2 절연층으로의 확산 방지는 회로의 신뢰 확보라는 측면에서 간과할 수 없는 전자 재료이며 더불어 공정기술의 미세화에 따른 보다 얇은증착 확산 방지막으로 충분한 확산 방지 효과를 구현하고자 하는 요구가 증대되고 있다.기존의 Al, W 등의 배선재료와 관련하여서는 TiN 박막용의 전자재료가 이용되고 있으며,특히 최근의 Cu 배선재료 도입 의지에 힘입어 이와 관련된 TiN 및 TaN 박막용의 전자재료가 향후 확산 방지막용의 주 재료로 이용될 것으로 기대를 모으고 있다. 5) 기능성 나노 유리막 코팅재 지식경제부 산하 한국산업기술평가원에서 전담하는 '지역산업선도기술개발사업'의 주관기업으로 선정되어 기능성 나노 유리막 코팅재료 개발을 위해 2010년 9월까지 정부로부터 13억 8천만원의 출연금을 받는다. 이번 과제의 수행으로 코팅제는 건축용 자재, 인조대리석, 가전제품 등의 다양한 산업 분야에 적용이 가능하며, 이미 기본적인 핵심 물질 개발이 완성된 상태이기 때문에 응용제품별 미세공정 및 상용화 공정 개발이 원활히 수행될 것이다. 기존의 코팅제와 달리 시연이 쉽고, 고광택, 경도, 내후성 및 내오염성에 있어 우수함을 보이며 기존에 사용된 코팅의 경우 코팅막의 특성을 나타내기 위해 50um 이상의 코팅 두께를 필요로 하였으며 코팅막의 경화를 위해 UV Lamp나 고온처리의 특수 장비와 전문 인력이 필요하였지만 유리막 코팅제는 5um이하의 박막으로도 코팅막의 특성을 최상으로 나타내며 자연경화가 가능한 제품이다. |
기업연혁
| 일 자 | 내 용 |
| 2001.01.06 2001.08.03 2001.03.05 2001.05.01 2001.09.01 2001.10.01 2001.11.12 2001.11.29 2001.12.11 2003.05.00 2003.07.00 2003.08.00 2004.08.00 2005.12.08 2006.12.22 2007.08.03 2007.08.06 2007.11.16 2007.12.20 2008.03.00 |
(주)디엔에프솔루션 설립 벤처기업 지정 한국과학기술원 신기술 창업지원센터 보육업체로 지정 중소기업 기술혁신 개발사업 업체 선정 과기부 연구성과지원사업(신기술 창업지원사업) 업체 선정 산자부 청정기술개발 사업 업체 선정 기업은행 기술개발 시범기업 선정 `제3회 창업보육센터 입주기업 경연대회` 장려상 수상 (기술신용보증기금, 기업은행) 기술신용보증기금 우량기술기업 선정 기업부설연구소 인증 벤처기업 재지정 (신기술평가기업) 부품소재전문기업 인증 기술혁신형 중소기업(INNO-BIZ) 선정 (주)디엔에프로 상호변경 대덕특구혁신기술사업화대상 기업부문 최우수상 수상 (국가균형발전위원회장상) 벤처기업 재지정 첨단기술기업 지정 (과학기술부) 코스닥시장 상장 `제6회 100대 우수특허제품대상`에서 최우수상 수상 (조달청) 납세자의 날, `기획재정부장관상` 수상 |
| 신입 | 주임 | 대리 | 과장 | 차장 | 부장 | 이사 |
| 1,800 |
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